廈門元航機械設備有限公司  沈

173-060-188 00

典型的伺服閥由永磁力矩馬達、噴嘴、檔板、閥芯、閥套和控制腔組成(見圖)。當輸入線圈通入電流時，檔板向右移動，使右邊噴嘴的節流作用加強，流量減少，右側背壓上升；同時使左邊噴嘴節流作用減小，流量增加，左側背壓下降。閥芯兩端的作用力失去平衡, 閥芯遂向左移動。高壓油從S流向C2，送到負載。負載回油通過 C1流過回油口，進入油箱。閥芯的位移量與力矩馬達的輸入電流成正比，作用在閥芯上的液壓力與彈簧力相平衡

EMG電動缸LLS 675/02

EMG伺服閥SV1-10/32/315-6

EMG伺服閥SV1-10/8/315/6 SV1-10/16/120/6

EMG伺服閥SV1-10/48/315-6

EMG伺服閥SV1-10/16/315-6

EMG傳感器KLW 300.012

EMG傳感器KLW 150.012

EMG傳感器KLW 225.012

EMG傳感器KLW 360.012

EMG傳感器KLW150.012

EMG傳感器KLW225.012

EMG傳感器KLW300.012

EMG傳感器KLW450.012

EMG傳感器KLW600.012

SV1-10/8/315/6 伺服閥 EMG

SV1-10/48/315/6 伺服閥 EMG

SV1-10/32/100/6 伺服閥 EMG

SV1-10/8/120/6 伺服閥 EMG

SV1-10/4/120/6 伺服閥 EMG

SV2-16/125/315/1/1/01伺服閥EMG 

HFE400/10H濾芯EMG 

KLM300/012位移傳感器EMG 

LLS675/02 LICHTBAND對中整流器EMG 

LIC1075/11光發射器EMG 

EVK2.12 電路處理板EMG 

BK11.02 電源EMG 

MCU16.1 處理器EMG 

VKI3-11-200/1600/750/M/E/W/A/EMG 

LID2-800.2C 對中光源發射器EMG 

LID2-800.2C 對中光源發射器EMG 

DMC2000-B3-160-SMC002-DCS電動執行器EMG 

KLW300.012位移傳感器EMG 

LIC2.01.1電路板EMG

EMG推動桿EB1250-60IIW5T

EMG推動桿EB800-60II

EMG推動桿EB220-50/2IIW5T

EMG推動桿EB300-50IIW5T

EMG發射光源L1C770/01-24VDC/3.0A  

EMG制動器ED121/6 2LL5   551-1

EMG光電探頭EVK2-CP/800.71L/R

EMG放大器EVB03/235351

EMG對中控制SMI 2.11.1/2358100134300

EMG電路板SMI 2.11.3/235990

EMG泵DMC 249-A-40 

EMG泵DMC 249-A-50 

EMG泵DMC 30 A-80 

EMG泵DPMC 59-V-8 

EMG位置傳感器LWH-0300

EMG電動執行器DMCR59-B1-10

EMG伺服閥SV1-10/32/315/6

EMG伺服閥SV1-10/32/315/8

EMG伺服閥SV1-10/48/315/8

EMG推動桿EB1250-60IIW5T

EMG推動桿EB800-60II

EMG推動桿EB220-50/2IIW5T

EMG推動桿EB300-50IIW5T

EMG發射光源L1C770/01-24VDC/3.0A  

EMG制動器ED121/6 2LL5   551-1

EMG光電探頭EVK2-CP/800.71L/R

EMG放大器EVB03/235351

EMG對中控制SMI 2.11.1/2358100134300

EMG電路板SMI 2.11.3/235990

EMG泵DMC 249-A-40 

EMG泵DMC 249-A-50 

EMG泵DMC 30 A-80 

EMG泵DPMC 59-V-8 

EMG位置傳感器LWH-0300

EMG電動執行器DMCR59-B1-10

EMG伺服閥SV1-10/32/315/6

EMG伺服閥SV1-10/32/315/8

EMG伺服閥SV1-10/48/315/8 

EMG伺服閥SV2-10/64/210/6

EMG 攝像頭 LS13.01  感元件直接感受被測量，并輸出與被測量有確定關系的物理量信號；轉換元件將敏感元件輸出的物理量信號轉換為電信號；變換電路負責對轉換元件輸出的電信號進行放大調制；轉換元件和變換電路一般還需要輔助電源供電。 

壓阻式傳感器是根據半導體材料的壓阻效應在半導體材料的基片上經擴散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件，擴散電阻在基片內接成電橋形式。當基片受到外力作用而產生形變時，各電阻值將發生變化，電橋就會產生相應的不平衡輸出。